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激光測(cè)厚儀主要應(yīng)用于鋰電池正、負(fù)極涂布，鋰電池正、負(fù)極輥壓的厚度和面密度測(cè)量。對(duì)于傳統(tǒng)涂布線，技術(shù)人員建議采用離線式激光測(cè)厚儀通過抽檢的方式折中地解決邊緣監(jiān)控問題；而對(duì)于新上的涂布線，推薦使用該設(shè)備放置于放卷后、涂布前，測(cè)量基材的厚度和面密度；也可以放置在烘箱后、收卷前，測(cè)量烘干極片的厚度和面密度。激光測(cè)厚儀設(shè)備與傳統(tǒng)設(shè)備最大的不同在于其光斑很小，不僅在極片中間區(qū)域表現(xiàn)良好，還能準(zhǔn)確地監(jiān)控極片頭尾和左右的輪廓，避免削薄區(qū)和頭尾出現(xiàn)較大的面密度或厚度偏差而導(dǎo)致批量報(bào)廢。本產(chǎn)品主...

微納米尺度探針在高精度薄膜電阻測(cè)試中發(fā)揮著重要的作用。這種方法可以提供更準(zhǔn)確和可靠的測(cè)量結(jié)果，為材料科學(xué)、電子器件制造等領(lǐng)域的研究和應(yīng)用提供有價(jià)值的數(shù)據(jù)。傳統(tǒng)的薄膜電阻測(cè)試方法通常使用宏觀尺寸的探針或接觸頭進(jìn)行測(cè)量，但這種方法存在一些局限性。例如，在微米甚至納米級(jí)別上進(jìn)行精確測(cè)量時(shí)，無法避免與被測(cè)樣品之間發(fā)生非破壞性接觸，并且可能會(huì)受到外界因素（如表面粗糙度）影響。因此，利用微納米尺度探針來進(jìn)行高精度薄膜電阻測(cè)試成為了一種新型解決方案。微納米尺度探針是由特殊材料制成并具有極細(xì)...

1.概述由于光刻的延遲和功率限制的綜合影響，制造商無法水平縮放，因此制造商正在垂直堆疊芯片設(shè)備，含三維集成技術(shù)。由于移動(dòng)設(shè)備的激增推動(dòng)了對(duì)更小電路尺寸的需求，這已變得至關(guān)重要，但這種轉(zhuǎn)變并不總是那么簡(jiǎn)單。三維集成方案可以采用多種形式，具體取決于所需的互連密度。圖像傳感器和高密度存儲(chǔ)器可能需要將一個(gè)芯片直接堆疊在另一個(gè)芯片上，并通過硅通孔連接，而系統(tǒng)級(jí)封裝設(shè)計(jì)可能會(huì)將多個(gè)傳感器及其控制邏輯放在一個(gè)重新分配層上。2.業(yè)內(nèi)行情EVGroup業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)ThomasUhrmann認(rèn)為...

為了制備高精度的薄膜電阻測(cè)試儀，并對(duì)其性能進(jìn)行評(píng)估，可以按照以下步驟進(jìn)行研究：1.設(shè)計(jì)和制備：首先，根據(jù)需求和目標(biāo)設(shè)計(jì)并確定電阻測(cè)試儀的結(jié)構(gòu)、尺寸和材料。然后，利用相應(yīng)的加工方法（如機(jī)械加工、3D打印等）制造出所需組件或零部件。注意，在設(shè)計(jì)過程中要考慮到機(jī)械剛性、穩(wěn)定性以及與被測(cè)樣品接觸時(shí)的非破壞性。2.裝配和調(diào)試：將各個(gè)組件或零部件裝配在一起，并進(jìn)行必要的調(diào)試。確保所有組件之間有良好的連接，并能夠正常運(yùn)行。3.性能評(píng)估方法選擇：選擇適當(dāng)?shù)姆椒▉碓u(píng)估薄膜電阻測(cè)試儀的性能。以下...

隨著柔性電子學(xué)領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)柔性有機(jī)半導(dǎo)體材料進(jìn)行準(zhǔn)確地電阻測(cè)試成為一個(gè)關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)聯(lián)系式接觸方式往往會(huì)對(duì)材料產(chǎn)生損傷或干擾，而且無法對(duì)特定區(qū)域進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。因此，開發(fā)一種非破壞性、高精度的薄膜電阻測(cè)試儀具有重要意義。設(shè)計(jì)原理：本文提出了一種基于納米壓痕技術(shù)實(shí)現(xiàn)高精度電阻測(cè)試的方法。首先，在設(shè)計(jì)中考慮到納米級(jí)位移測(cè)量系統(tǒng)的需求，采用了高精度壓頭和位移傳感器。其次，在測(cè)試過程中，通過控制壓頭與樣品之間的接觸力，使得薄膜與導(dǎo)電底座緊密貼合，并保持穩(wěn)定的電阻值。最后，利用位移...